GEMStar XT-P
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GEMStar XT-P

Arradiance

O sistema de Deposição de Camadas Atômicas Melhorada por Plasma (PEALD) GEMStar XT-DPTM extende as capacidades do sistema térmico GEMStar XTTM de incluir o melhor processamento de plasma na classe através de uma gama completa de substratos.

Configurado com um sistema RF de Plasma Indutivamente Acoplado (ICP) resfriado a ar de 300 Watts com quatro entradas de gás controladas por fluxo de massa, zonas de distribuição simples (S) ou dupla (D) de 200 °C, quatro (S) ou oito (D) portas de válvulas ALD para material de alta velocidade (uma com tecnologia vapor push), duas zonas localizáveis de temperatura material de 200 °C e uma ferramenta de plasma para estender sua pesquisa e requerimentos de processamento.

Especificações

Cabeça ICP Direta Resfriada a Ar de 300 Watts com quatro entradas de gás de plasma controladas por fluxo de massa.
Temperatura do Reator Ajustável até 300 °C
Entrega de distribuição de gás uniforme de até 200 °C
Pulse Vapor Push (PVP) para manipular material de pressão muito baixa
Substrato e efetores configuráveis, substratos de até 200 mm de diâmetro, bem como opção de cilindro aquecido de 500 °C
Entrada selecionável MFC de gás carregador controlável de até 200 SCCM
Controle de Sistema GEMFlowTM comprovado em campo

Aplicações

Semicondutores
Dielétrica de Porta de Alto k (ex. HfO2, ZrO2)
Eletrodos de Porta Condutores
Barreiras de Difusão (ex. TiN, TaN)
Camada de Adesão/Semente

Optoeletrônica
OLEDs – dispositivos, revestimentos
Eletroluminescência
Óxidos condutores transparentes
Tela com luz de fundo
Componentes ópticos – guias de onda, filtros

Microssistemas Eletromecânicos (MEMS)
Sensores

Conversão e Armazenamento de Energia
Células Solares – dispositivos, passivação
Células de Combustível, Baterias
Supercapacitores

Processos Químicos
Catálise – Partículas
Combustíveis – Partículas

Aplicações Biológicas
Micro/Nano Fluídica para sequenciamento de DNA, detecção de vírus
Biosensores – Revestimentos de barreira bio-compatíveis
Empacotamento de fármacos

Revestimentos Industriais – Objetos 3D

Opções

Opção de Mandril Aquecido a 500 °C
Permite operação em plataforma quente a até 500 °C enquanto aquece as paredes da câmara até 300 °C.
O módulo da porta compatível com plug permite troca fácil com operação de parede quente a 300 °C padrão.
Design de aquecedor de aço inoxidável com mandril de 6” de alumínio para alcançar uniformidade de temperatura do substrato.
Todos os padrões de segurança de temperatura externa são mantidos com essa opção.



Opção CVD Pulsado
Completamente controlado através do software do sistema para flexibilidade máxima de uso em receitas complexas. Dois canais MFC controlados separadamente para gases CVD. Válvulas de distribuição suportam o fluxo contínuo.



Opção de Interface para Glovebox
Espaço na glovebox: a porta de acesso para a porta swing-out do GEMStar embutida no lado posterior da glovebox maximiza o espaço útil no interior. Não se ocupa espaço no meio da glovebox com uma câmara grande.
Facilidade e Segurança ao Carregar/Descarregar: Já que portador de substrato sai junto com a porta do GEMStar montada lateralmente, fica fácil e seguro para carregar/descarregar substratos com exposição mínima à câmara e introdução mínima de partículas.
Gerenciamento de Calor: No GEMStar, a maior parte do calor da câmara fica fora da caixa de luvas, diferentemente de câmaras verticais, que adicionam uma carga de calor significativa dentro da glovebox, que deve ser ativamente gerenciado.
Acesso a precursores e manutenção: O GEMStar montado no lado posterior de uma caixa de luvas mantém seu acesso fácil, à altura do quadril, para troca e manutenção de precursores, diferentemente de câmaras verticais montadas em baixo da glovebox, de difícil acesso para manutenção.



Opção de Gerador de Ozônio
O Ozônio é um oxidante mais forte que água, e permite deposição de óxidos ALD de menor temperatura em substratos de polímeros sensíveis à temperatura. Com sua maior reatividade, o ozônio permite uma maior gama de precursores químicos.
O ozônio também pode ser usado para limpeza in-situ. Gera-se o ozônio no local a partir de uma descarga de O2, com fluxo contínuo ao exaustor através de desestruturação de ozônio. Conecta-se o ozônio a uma porta de gás de processo atrás do GEMStar.
A dose de ozônio é controlada através de uma válvula ALD na distribuição de oxidantes com o software GEMFlowTM.



Opção de Redução de Exaustão
O forno in-line opera tipicamente a 700 °C, que é capaz de quebrar os precursores metalorgânicos usados mais frequentemente. É capaz de alcançar temperaturas de até 1100 °C.
As partículas de óxido ou de metal geradas no forno são capturadas numa prisão de partículas de malha de metal e impedidas de alcançar a bomba.



Opção de Revestimento de Partículas
O tamanho da câmara do GEMStar pode acomodar wafers de até 200mm (8”) de diâmetro, ou objetos 3D de até 33 mm (1.3”) de altura, ou pós. O design de paredes quentes de até 300 °C com aquecimento convectivo pode alcançar uniformidade de temperatura de até ±1°C em espaço tridimensional, assim permitindo deposição conformes sobre pós.
O controle de exposição é crítico para filmes ALD conformes em estruturas com razão de aspecto grande. Controlam-se precisamente pressão parcial e tempos de resistência com uma válvula de vácuo integrada.
Porta-partículas projetados especificamente podem ser conectados convenientemente ao GEMStar através da porta de metrologia KF40. Câmaras de partículas de desconexão rápida facilitam o carregamento e descarregamento de partículas. Filtro de tela customizável na câmara de partículas. Drive magnético sem selo para rotação contínua com RPMs configuráveis facilitam revestimento conforme de partículas.